neues lgbt F4-75R12KS4 Modul
New F4-75R12KS4 IGBT Module: A 1200V/75A power semiconductor for high-efficiency motor drives and inverters.
Der Preis: ¥9223.36 ¥8998.40 / Mitglied
WINNI (HK) ELECTRONIC CO., LIMITED
+86-13827441621
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F4-75R12KS4 Datasheets Download
Name: F4-75R12KS4.pdfTyp
module
Marke
Modell
F4-75R12KS4
Qualität
New, Original package
RMA-Politik
RMA 3 month
Bestand
50
Probe
Paid Sample
Lagerort
China
Lieferung
WorldWide
Vorlaufzeit
3-5 Days
Preislaufzeit
T/T, Paypal Western Union, MoneyGram, PayPal, Escrow etc
Bemerkung
new
Gewicht
3.000Kg
Model
F4-75R12KS4
Type
IGBT Module (Dual/Common Emitter)
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector Current (Ic)
75 A
Saturation Voltage
Low, typical for Trench/Fine P structure
Switching Speed
Fast switching performance
Maximum Junction Temperature
Typically 150 °C or 175 °C
Package / Mounting
Standard module package (e.g., 62mm) with screw terminals
Key Feature
Equipped with freewheeling diode for inductive load protection
Application
Motor drives, inverters, UPS, and industrial power conversion
new lgbt F4-75R12KS4 module
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Die kunden.:
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F4-75R12KS4 Zusammenfassung
The F4-75R12KS4 is a new 1200V/75A IGBT module featuring low loss and trench gate field stop technology, ideal for motor drives and UPS systems.
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